menu
جستجو
ورود

ثبت آگهی رایگان

تولید سلولهای خورشیدی ارزان قیمت

پژوهشگران دانشگاه تربیت مدرس با استفاده از نانو ذرات، سلول های خورشیدی ارزان قیمتی را تولید کردند که می تواند گام مؤثری برای تجاری سازی آن شود و به گفته آن ها این نسل از سلول های خورشیدی از بازدهی بالاتر و قیمت پایین تری نسبت به سلول های خورشیدی سیلیکونی برخوردار هستند. به گزارش پیام ساختمان، با توجه به لزوم دسترسی به انرژی پاک و ارزان، تولید الکتریسیته از انرژی خورشیدی توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده است. در 5 سال اخیر نسل جدیدی از سلول های خورشیدی ارزان قیمت و پربازده شروع به رشد کرده اند. با توجه به قیمت پایین تمام شده این نسل از سلول های خورشیدی و همچنین آینده درخشان آن، دانشمندان بزرگی در دنیا بر روی این ساختار شگفت انگیز متمرکزشده اند؛ ضمن آنکه محققان دانشگاه تربیت مدرس درصدد ارائه راهکارهایی برای تولید ملی سلول های خورشیدی ارزان قیمت هستند. دکتر بهرام عبدالهی نژند، عضو هیئت علمی جهاد دانشگاهی تربیت مدرس با اشاره به مزایای سلول های خورشیدی پروسکایت، گفت: سلول های خورشیدی پروسکایت به دلیل اینکه از مواد ارزان قیمت ساخته می شوند، بسیار موردتوجه قرارگرفته اند و از سوی دیگر بازدهی این نوع سلول های خورشیدی به میزان 22.1 درصد رسیده و تلاش ها برای افزایش بازدهی آن ها ادامه دارد. وی ادامه داد: در این طرح تلاش شده است تا با به کارگیری یک نانو ماده ارزان قیمت در ساختار سلول های خورشیدی پروسکایت، این سلول ها به سمت تولید صنعتی و تجاری سازی سوق داده شوند. عبدالهی نژند اکسید مس را یک ماده ارزان قیمت دانست و اظهار کرد: استفاده از اکسید مس به عنوان یک ماده فراوان و بسیار مقرون به صرفه، هزینه ساخت ابزار الکترونیکی را به میزان بالایی کاهش می دهد، ازاین رو در این پژوهش از این ماده غیر آلی به عنوان جایگزین مواد با انتقال دهنده های حفره آلی گران قیمت استفاده شده است. به گفته وی، استفاده از اکسید مس به عنوان یک انتقال دهنده حفره غیر آلی، موجب افزایش پایداری سلول های خورشیدی پروسکایت می شود. این محقق بابیان اینکه در این پژوهش از روش کند و پاش یونی واکنشی چرخشی به منظور لایه نشانی اکسید مس بر روی لایه پروسکایت استفاده شده است، خاطرنشان کرد: این روش لایه نشانی موجب شده تا یک لایه نانو ساختار بر روی سطح زیر لایه ایجاد شود. دانه بندی نانویی این لایه باعث می شود تا گاف انرژی پهن تر شده و همچنین قابلیت استخراج بار و پتانسیل بالاتری را ایجاد کند. این عضو هیئت علمی جهاد دانشگاهی تربیت مدرس اضافه کرد: لایه نشانده شده بر روی سطح پروسکایت یک لایه یکنواخت، متراکم و بدون عیب بوده و تأثیر مخربی بر روی ساختار زیر لایه پروسکایت نداشته است. بازده تبدیل انرژی پس از لایه نشانی به میزان بیش از 8.93 درصد رسیده است. به گفته وی، این طرح بخشی از طرح ملی تولید سلول های خورشیدی ارزان قیمت موسوم به سلول های خورشیدی پروسکایت پایدار بوده است.

انتهای خبر/پیام ساختمان

چاپ شده در هفته نامه پیام ساختمان شماره 311

فهرست مطالب شماره 311

این مطلب را در شبکه های اجتماعی به اشتراک بگذارید :

دیدگاه خوانندگان :


دیدگاه خود را به اشتراک بگذارید

صفحه اصلی خانه
×